Vi vet det transistor består av tre terminaler nemlig emitter, kollektor og base, og disse er betegnet med E, C og B. Men i applikasjoner av transistorer krever vi fire terminaler, to terminaler for inngang og gjenværende to terminaler for utgang. For å rette opp dette problemet bruker vi en terminal for både i / p og o / p handlinger. Ved hjelp av dette konseptet designer vi kretsene, som vil tilby de nødvendige egenskapene, og disse konfigurasjonene kalles transistorkonfigurasjoner.
Transistorkonfigurasjoner
Typer transistorkonfigurasjoner
De tre forskjellige typene transistorkonfigurasjoner er
- Vanlig basistransistorkonfigurasjon
- Vanlig emitter-transistorkonfigurasjon
- Vanlig kollektortransistorkonfigurasjon
Nå diskuterer vi om de ovennevnte tre transistorkonfigurasjon s med diagrammer.
Typer transistorkonfigurasjoner
Common Base Transistor Configuration (CB)
Den vanlige basistransistorkonfigurasjonen gir lav i / p samtidig som den gir en høy o / p-impedans. Når spenningen til CB-transistoren er høy, er forsterkningen av strømmen og den totale forsterkningen av effekten også lav sammenlignet med de andre transistorkonfigurasjonene. Hovedfunksjonen til B-transistoren er at i / p og o / p av transistoren er i fase. Følgende diagram viser konfigurasjonen av CB-transistoren. I denne kretsen er baseterminalen gjensidig for begge i / p & o / p-kretsene.
Vanlig basetransistorkonfigurasjon
Den nåværende forsterkningen av CB-kretsen beregnes i en metode relatert til den for CE-konseptet, og den er betegnet med alfa (α). Det er forholdet mellom kollektorstrøm og emitterstrøm. Den nåværende forsterkningen beregnes ved hjelp av følgende formel.
Alpha er forholdet mellom kollektorstrøm (utgangsstrøm) og emitterstrøm (inngangsstrøm). Alpha beregnes med formelen:
α = (∆Ic) / ∆IE
For eksempel, hvis i / p-strømmen (IE) i en felles basestrøm endres fra 2mA til 4mA og o / p-strømmen (IC) endres fra 2mA til 3,8 mA, vil forsterkningen av strømmen være 0,90
Strømforsterkningen til CB-strømmen er mindre enn 1. Når emitterstrømmen strømmer inn i basisterminalen og ikke fungerer som kollektorstrøm. Denne strømmen er alltid mindre enn emitterstrømmen som forårsaker den. Forsterkningen av den vanlige basekonfigurasjonen er alltid mindre enn 1. Følgende formel brukes til å beregne den nåværende forsterkningen av CE (α) når CB-verdien er gitt dvs. (β).
Common Collector Transistor Configuration (CC)
Den vanlige kollektortransistorkonfigurasjonen er også kjent som emitterfølgeren fordi emitterspenningen til denne transistoren følger basisterminalen til transistoren. Tilbyr en høy i / p-impedans og en lav o / p-impedans brukes ofte som buffer. Spenningsforsterkningen til denne transistoren er enhet, strømforsterkningen er høy og o / p-signalene er i fase. Følgende diagram viser konfigurasjonen av CC-transistoren. Samlerterminalen er gjensidig for både i / p og o / p kretser.
Common Collector Transistor Configuration
Den nåværende forsterkningen av CC-kretsen er betegnet med (γ), og den beregnes ved hjelp av følgende formel.
Denne forsterkningen er relatert til CB-strømforsterkningen som er beta (β), og forsterkningen av CC-kretsen blir beregnet når b-verdien er gitt av følgende formel 
Når transistoren er koblet til i en av tre grunnleggende konfigurasjoner som CE, CB og CC, er det et forhold mellom alfa, beta og gamma. Disse forholdene er gitt nedenfor.
For eksempel er den nåværende forsterkningsverdien for den vanlige basisverdien (α) 0,90, så kan betaverdien beregnes som
Derfor vil en variasjon i basestrømmen til denne transistoren gi en endring i kollektorstrømmen som vil være ni ganger så stor. Hvis vi vil bruke den samme transistoren i en CC, kan vi beregne gamma ved hjelp av følgende ligning.
Common Emitter Transistor Configuration (CE)
Den vanlige emittertransistorkonfigurasjonen er den mest brukte konfigurasjonen. Kretsen til CE-transistor gir et medium i / p og o / p impedansnivå. Forsterkningen av både spenning og strøm kan defineres som et medium, men o / p er motsatt i / p som er 1800-endring i fasen. Dette gir god ytelse, og det blir ofte sett på som de mest brukte konfigurasjonene. Følgende diagram viser konfigurasjonen av CE-transistor. I denne typen krets er emitterterminalen gjensidig for både i / p & o / p.
Vanlig senderkonfigurasjon
Følgende tabell nedenfor viser konfigurasjonene av vanlig emitter, felles base og vanlige kollektortransistorer.
Strømforsterkningen til Common Emitter (CE) -kretsen er betegnet med beta (β). Det er forholdet mellom kollektorstrøm og basisstrøm. Følgende formel brukes til å beregne beta (β). Delta brukes til å spesifisere en liten endring
For eksempel, hvis i / p-strømmen (IB) i en CE-endring fra 50 mA til 75 mA og o / p-strømmen (IC) endres fra 2,5 mA til 3,6 mA, vil strømforsterkningen (b) være 44.
Fra ovennevnte strømforsterkning kan vi konkludere med at en endring i grunnstrøm genererer en endring i kollektorstrøm som er 44 ganger større.
Dette handler om annerledes typer transistor konfigurasjoner som inkluderer felles base, fellessamler og felles emitter. Vi tror at du har fått en bedre forståelse av dette konseptet. Videre, spørsmål angående dette konseptet eller elektronikkprosjekter, vennligst gi dine verdifulle forslag ved å kommentere i kommentarseksjonen nedenfor. Det er et spørsmål for deg, hva er funksjonen til transistor?
