BJT ble oppfunnet i 1948 av William Shockley, Brattain og John Bardeen, som ikke bare har omformet elektronikkens verden, men også i vårt daglige liv. De bipolare krysset transistorer bruk både ladebærere som er elektron og hull. Likegyldighet de unipolare transistorer som felt-effekt transistorer bruker bare en slags ladningsbærer. For operasjonsformålet bruker BJT to halvleder type n-type og p-type mellom to kryss. Den viktigste grunnleggende funksjonen til en BJT er å forsterke strømmen, det vil tillate at BJT-er brukes som forsterkere eller brytere for å produsere bred brukbarhet i elektronisk utstyr, inkludert mobiltelefoner, industriell kontroll, TV og radiosendere. Det er to forskjellige typer BJT-er tilgjengelig, de er NPN og PNP.

Hva er en BJT?

Den bipolare overgangstransistoren er en solid state-enhet, og i BJT-ene er strømmen i to terminaler, de er emitterende og samler, og mengden strøm styres av den tredje terminalen, dvs. baseterminalen. Den er forskjellig fra den andre typen transistor, dvs. Felt-effekt transistor som er utgangsstrømmen styres av inngangsspenningen. Grunnsymbolet for BJTs n-type og p-type er vist nedenfor.

Bipolare kryssstransistorer

Typer bipolare kryssstransistorer

Som vi har sett, gir en halvleder mindre motstand mot strømmen i en retning, og høy motstand er en annen retning, og vi kan kalle transistor som enhetsmodus for halvlederen. De bipolare krysset transistorer består av to typer transistorer. Som, gitt oss

Punktkontakt
Kryss transistor

Ved å sammenligne to transistorer brukes krysset transistorer mer enn punkt-transistorer. Videre er koblingstransistorer klassifisert i to typer som er gitt nedenfor. Det er tre elektroder for hver krysningstransistor de er emitter, samler og base

PNP-krysset transistorer
NPN-kryssstransistorer

PNP Junction Transistor

I PNP-transistorer er emitteren mer positiv med base og også med hensyn til samleren. PNP-transistoren er en tre-terminal enhet som er laget av halvledermateriale . De tre terminalene er kollektor, base og emitter, og transistoren brukes til å bytte og forsterke applikasjoner. Driften av PNP-transistoren er vist nedenfor.

Generelt er kollektorterminalen koblet til den positive terminalen og emitteren til en negativ forsyning med en motstand enten emitter- eller kollektorkretsen. Til baseterminalen tilføres spenningen og den driver transistoren som en PÅ / AV-tilstand. Transistoren er i AV-tilstand når basespenningen er den samme som emitterspenningen. Transistormodus er i PÅ-tilstand når basisspenningen synker i forhold til emitteren. Ved å bruke denne egenskapen kan transistoren virke på begge applikasjoner som bryter og forsterker. Det grunnleggende diagrammet til PNP-transistoren er vist nedenfor.

“n kanalforbedring mosfet drift ”

NPN Junction Transistor

NPN-transistoren er nøyaktig motsatt PNP-transistoren. NPN-transistoren inneholder tre terminaler som er de samme som PNP-transistoren som er emitter, kollektor og base. Operasjonen av NPN-transistoren er

Generelt blir den positive tilførselen gitt til kollektorterminalen og den negative tilførselen til emitterterminalen med en motstand enten emitteren eller kollektoren eller emitterkretsen. Til baseterminalen påføres spenningen og den drives som en ONN / OFF-tilstand for en transistor. Transistoren er i AV-tilstand når basespenningen er den samme som emitteren. Hvis basisspenningen økes i forhold til emitteren, er transistormodus i PÅ-tilstand. Ved å bruke denne tilstanden kan transistoren fungere som begge applikasjoner som er forsterker og bryter. Grunnsymbolet og NPN-konfigurasjon som vist nedenfor.

PNP og NPN Junction Transistor

Hetero Bipolar Junction

Den Hetero bipolare kryssstransistoren er også en type er den bipolare kryssstransistoren. Den bruker forskjellige halvledermaterialer til emitteren og baseområdet og produserer heterojunksjon. HBT kan håndtere singler med svært høye frekvenser på flere hundre GHz, vanligvis brukes den i ultrasnelle kretser og brukes mest i radiofrekvens. Applikasjonene brukes i mobiltelefoner og RF-forsterkere.

Arbeidsprinsipp for BJT

BE-krysset er forspent og CB er et omvendt skjevpunkt. Bredden på uttømmingsområdet til CB-krysset er høyere enn BE-krysset. Den fremre forspenningen ved BE-krysset reduserer barrierepotensialet og produserer elektroner som strømmer fra emitteren til basen, og basen er en tynn og lett dopet, den har veldig få hull og mindre mengde elektroner fra emitteren, ca. 2% den rekombineres i baseområdet med hull og fra baseterminalen vil det strømme ut. Dette starter basestrømmen på grunn av kombinasjonen av elektroner og hull. Det resterende store antallet elektroner vil passere krysset for omvendt forspenningsoppsamler for å starte kollektorstrømmen. Ved å bruke KCL vi kan observere den matematiske ligningen

Jeg_ER= Jeg_B+ Jeg_C

Basisstrømmen er veldig mindre sammenlignet med emitter- og kollektorstrøm

Jeg_ER~ Jeg_C

Her er driften av PNP-transistoren den samme som NPN-transistoren. Den eneste forskjellen er bare hull i stedet for elektroner. Diagrammet nedenfor viser PNP-transistoren til den aktive modusregionen.

Arbeidsprinsipp for BJT

“hva betyr elektronisk kommunikasjon ”

Fordeler med BJT

Høy kjøreevne
Høyfrekvent drift
Den digitale logikkfamilien har en emitterkoblet logikk som brukes i BJT-er som en digital bryter

Søknader om BJT

Følgende er de to forskjellige typene applikasjoner i BJT de er

Veksling
Forsterkning

Denne artikkelen gir informasjon om hva som er en bipolar kryssstransistor, typer BJT, fordeler, applikasjoner og egenskaper til de bipolare kryssstransistorer. Jeg håper den gitte informasjonen i artikkelen er nyttig for å gi litt god informasjon og forståelse for prosjektet. For videre, hvis du har spørsmål angående denne artikkelen eller på elektriske og elektroniske prosjekter du kan kommentere i delen nedenfor. Her er et spørsmål for deg, hvis transistorer brukes i digitale kretser, fungerer de vanligvis i hvilken region?

Fotokreditter: